簡易檢索 / 檢索結果

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    氧化銅之金屬-半導體-金屬蕭特基接面二極體光感測特性分析
    • 電子工程系 /102/ 碩士
    • 研究生: 洪敏竣 指導教授:
    • 此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜,由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
    • 點閱:312下載:0
    • 全文公開日期 2019/06/10 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    離子束濺鍍法沉積氧化銦錫透明導電膜之特性研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 黃堂益 指導教授:
    • 摘要   本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上,在室溫狀態下,分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離,來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加,氧氣的低濺…
    • 點閱:336下載:0
    • 全文公開日期 2022/03/29 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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